隨著半導體制程向更精密化發(fā)展，傳統(tǒng)熱流儀逐漸暴露出諸多短板，難以滿足行業(yè)升級需求，而冠亞恒溫熱流儀憑借核心技術(shù)突破，針對性解決行業(yè)痛點，推動半導體測試技術(shù)升級。

痛點一：溫變速率慢，測試效率低

常規(guī)熱流儀溫變速率有限，無法快速捕捉芯片在溫度瞬變時的電參數(shù)變化，導致測試周期過長，難以適配大規(guī)模芯片量產(chǎn)測試需求，尤其在快速溫變測試場景中，效率短板更為突出。

冠亞優(yōu)勢：冠亞恒溫熱流儀實現(xiàn)150℃ ~ -55℃溫變時間＜10秒，通過優(yōu)化的氣流脈沖技術(shù)與雙區(qū)獨立控溫設(shè)計，大幅提升溫變響應速度，縮短測試周期，適配量產(chǎn)測試的需求。

痛點二：溫度精度不足，導致測試數(shù)據(jù)失真

傳統(tǒng)熱流儀多僅控制出風口溫度，忽略了芯片自身發(fā)熱、環(huán)境散熱等因素影響，導致出風口溫度與實際芯片結(jié)溫存在較大差異，測試數(shù)據(jù)失真，無法為芯片可靠性分析提供準確依據(jù)。

冠亞優(yōu)勢：冠亞恒溫熱流儀采用實時監(jiān)控被測IC真實溫度的閉環(huán)反饋系統(tǒng)，可動態(tài)調(diào)整氣體溫度，確保芯片結(jié)溫準確控制在目標值，精度可達±0.5℃以內(nèi)，其中熱流儀出口溫度穩(wěn)態(tài)精度有效避免測試數(shù)據(jù)失真，為芯片測試提供可靠保障，契合半導體測試對精度的嚴苛要求。

痛點三：大功率芯片散熱測試難

隨著AI、高性能計算等領(lǐng)域的發(fā)展，高功耗芯片日益增多，此類芯片在測試過程中自身發(fā)熱量大，普通熱流儀無法維持恒定測試環(huán)境，導致測試數(shù)據(jù)波動，難以完成大功率芯片的可靠性測試。

冠亞優(yōu)勢：冠亞恒溫提供可定制的100m3/h大流量氣體沖擊測試機，也就是芯片氣體沖擊熱流儀，能夠快速帶走芯片自身產(chǎn)生的熱量，滿足超大測試功率需求，確保高功耗器件測試過程中的溫度穩(wěn)定性，適配IGBT、AI芯片等大功率器件的測試需求。

冠亞恒溫熱流儀覆蓋更寬測試場景，適配-120℃熱流儀相關(guān)需求，可根據(jù)客戶需求定制，進一步適配不同場景測試需求。